RS1M快恢複二極管的基本性能參數及要求

RS1M快恢複二極管，主要是指與快速晶閘管、高頻率晶閘管和GT0、IGCT、leGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M該型號快恢複二極管通常電流大，電壓高，反向恢複時間一般在1微秒以上，多采用擴散型通過結構和電子輻射技術，電流從數十安培到數千安培，電壓從數百伏到3000伏不等。反向恢複的特性通常很硬，大部分都是晶片結構，在國內FRD機器設備占有超過80%以上的市場份額，FRD總體來說與海外領先水準相差並不大。

然而，還有一種快恢複二極管，它與IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢複二極管，它不但性能快，還需要軟特性，以避免高電壓峰值、射頻幹擾和電磁幹擾。一般國外生產IGBT、M0SFET的公司也生產了與之配套的快速恢複二極管，目前國內還沒有商業IGBT和快速恢複二極管的量產。因為快恢複二極管比較IGBT來說，較為低端，但隨著我國綜合實力的提升，快恢複二極管也宣布正式立項，未來有著很好的發展趨勢。

       IFM是正向的電流正向峰值，而-diF/dt是正向通誌電流下降的速率，VRM為反向峰值電壓，VFM是二極管正向通態壓降，tb為複合時間，IRM反向峰值電流，DIR為反向恢複電流下降。

RS1M快恢複二極管的技術性能及標準是：

(1)恢複速率快，即反向恢複時間trr要小。

(2)正向壓降小，即標準VF小，以降低通電情況下的功能損耗。

(3)反向漏電流Ir小，以減少關閉情況下功能損耗。

(4)反向峰值電流小，減少了二極管反向電流對控製電路中其它開關裝置的影響；

(5)反向恢複的軟S較大，減少電壓瞬間感應過衝，避免震蕩。

(6)快速恢複二極管還必須有很好的溫度穩定性，以減少或避免由於器件溫度升高而造成的性能退化現象。具有正的溫度係數的正壓功率二極管具有良好的溫度穩定性。

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